トップゲートとサイドゲートによるシリコン結合量子ドットの静電結合制御
トップゲートとサイドゲートによるシリコン結合量子ドットの静電結合制御
复制标题
使用顶栅和侧栅对硅键合量子点进行电容耦合控制
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
小田俊理
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
山端元音;小寺哲夫;水田博;内田建;小田俊理
