Time resolution of silicon pixel sensors
Time resolution of silicon pixel sensors
复制标题
硅像素传感器的时间分辨率
DOI：
10.1088/1748-0221/12/11/p11017
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发表时间：
2017
影响因子：
1.3
通讯作者：
G. Rinella
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
W. Riegler;G. Rinella
本文利用朗道理论和描述高能粒子电荷存款的派模型，导出了硅探测器时间分辨的表达式。首先，我们使用的诱导信号的质心时间，并推导出的时间分辨率，即电荷存款波动，噪声和波动的信号形状由于加权场的变化的三个组件的解析表达式。然后，我们推导出表达式的时间分辨率，使用前沿歧视的信号为各种电子整形时间。文中还讨论了具有内增益的硅探测器的时间分辨率。
We derive expressions for the time resolution of silicon detectors, using the Landau theory and a PAI model for describing the charge deposit of high energy particles. First we use the centroid time of the induced signal and derive analytic expressions for the three components contributing to the time resolution, namely charge deposit fluctuations, noise and fluctuations of the signal shape due to weighting field variations. Then we derive expressions for the time resolution using leading edge discrimination of the signal for various electronics shaping times. Time resolution of silicon detectors with internal gain is discussed as well.
适用于飞行时间成像应用的快速传感器。
DOI：
10.1039/c3cp53183j
发表时间：
2014
期刊：
PCCP
影响因子：
--
作者：
Vallance C
通讯作者：
Vallance C