水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱を用いた多結晶Si膜形成とデバイスプロセス応用
水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱を用いた多結晶Si膜形成とデバイスプロセス応用
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氢自由基选择性加热过渡金属形成多晶硅薄膜及器件工艺应用
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中家大希，上村和貴，荒井哲司，有元圭介，山中淳二，佐藤哲也，中川清和，高松利行，澤野憲太郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中家大希，上村和貴，荒井哲司，有元圭介，山中淳二，佐藤哲也，中川清和，高松利行，澤野憲太郎
