Low temperature lasing characteristics of GaInAsP double-hetero laser integrated on InP/Si substrate using direct wafer bonding
Low temperature lasing characteristics of GaInAsP double-hetero laser integrated on InP/Si substrate using direct wafer bonding
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采用直接晶圆键合集成在 InP/Si 衬底上的 GaInAsP 双异质激光器的低温激光特性
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Shimomura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Nishiyama;K. Matsumoto;J. Kishikawa;T. Sukigara;Y. Onuki;N. Kamada;T. Kanke;and K. Shimomura
