Heterodimensional charge-carrier confinement in stacked submonolayer InAs in GaAs
Heterodimensional charge-carrier confinement in stacked submonolayer InAs in GaAs
复制标题
GaAs 中堆叠亚单层 InAs 中的异维载流子限制
DOI：
10.1103/physrevb.93.085302
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发表时间：
2016
影响因子：
3.7
通讯作者：
Bimberg
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Harrison;Hodgson;Schliwa;Strittmatter;Eisele;Bimberg
