Modeling of NBTI Stress Induced Hole-Trapping and Interface-State-Generation Mechanisms under a Wide Range of Bias Conditions
Modeling of NBTI Stress Induced Hole-Trapping and Interface-State-Generation Mechanisms under a Wide Range of Bias Conditions
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宽范围偏置条件下 NBTI 应力诱导空穴捕获和界面态生成机制的建模
DOI：
10.1587/transele.e96.c.1339
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发表时间：
2013
影响因子：
0.5
通讯作者：
Mitiko Miura-Mattausch
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chenyue Ma;Hans Jürgen Mattausch;Masataka Miyake;Takahiro Iizuka;Kazuya Matsuzawa;Seiichiro Yamaguchi;Teruhiko Hoshida;Akinori Kinoshita;Takahiko Arakawa;Jin He;Mitiko Miura-Mattausch
