epsilon-Ga2O3: A Promising Candidate for High-electron-Mobility Transistors
epsilon-Ga2O3: A Promising Candidate for High-electron-Mobility Transistors
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epsilon-Ga2O3：高电子迁移率晶体管的有前途的候选者
DOI：
10.1109/led.2020.2995446
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发表时间：
2020
影响因子：
4.9
通讯作者：
Zheng You-Dou
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Wang Jin;Guo Hui;Zhu Cheng-Zhang;Cai Qing;Yang Guo-Feng;Xue Jun-Jun;Chen Dun-Jun;Tong Yi;Liu Bin;Lu Hai;Zhang Rong;Zheng You-Dou
