Inversion channel MOSFET on lightly impurity doped n-type diamond
Inversion channel MOSFET on lightly impurity doped n-type diamond
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轻掺杂 n 型金刚石上的反型沟道 MOSFET
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Yamasaki and N. Tokuda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Matsumoto;H. Kato;T. Makino;S. Ohmagari;M. Ogura;D. Takeuchi;T. Inokuma;S. Yamasaki and N. Tokuda
