Corrigendum: Hexagonal Boron Nitride Tunnel Barriers Grown on Graphite by High Temperature Molecular Beam Epitaxy.
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DOI：
10.1038/srep46799
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发表时间：
2017-05-08
影响因子：
4.6
通讯作者：
Novikov SV
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Cho YJ;Summerfield A;Davies A;Cheng TS;Smith EF;Mellor CJ;Khlobystov AN;Foxon CT;Eaves L;Beton PH;Novikov SV
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