Tunneling Injection of Electrons at Nanometer-Scale Schottky Gate Edge of AlGaN/GaN Heterostructure Transistors and Its Computer Simulation
Tunneling Injection of Electrons at Nanometer-Scale Schottky Gate Edge of AlGaN/GaN Heterostructure Transistors and Its Computer Simulation
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AlGaN/GaN异质结晶体管纳米级肖特基栅边缘电子隧道注入及其计算机仿真
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Hashizume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.Kotani;S.Kasai;H.Hasegawa;T.Hashizume
