Solid-phase Grown GeSn n-MOSFETs on GOI Wafer Fabricated by Flash Lamp Annealing
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通过闪光灯退火在 GOI 晶圆上固相生长 GeSn n-MOSFET
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Endo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Oka;W. Mizubayashi;T. Mori;Y. Ishikawa;T. Hosoi;T. Shimura;H. Watanabe;and K. Endo
