トンネル結合した電荷センサを持つ物理形成シリコン量子ドットの特性評価
トンネル結合した電荷センサを持つ物理形成シリコン量子ドットの特性評価
复制标题
使用隧道耦合电荷传感器表征物理形成的硅量子点
DOI：
--
复制
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
小寺 哲夫
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
溝口 来成;西山 伸平;加藤 公彦;柳 永勛;森 貴洋;小寺 哲夫
