Growth of 5 mm GaN Single Crystals at 750 °C from an Na−Ga Melt
Growth of 5 mm GaN Single Crystals at 750 °C from an Na−Ga Melt
复制标题
750 °C 下 Na−Ga 熔体生长 5 mm GaN 单晶
DOI：
--
复制
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
F. Disalvo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Aoki;H. Yamane;M. Shimada;S. Sarayama;F. Disalvo
通过在BN坩埚中在5 MPa的N2下在750 °C下加热Na-Ga熔体360小时，获得具有5 × 3 mm 2面积的片状GaN单晶。在起始熔体中较低的Na含量下生长出尺寸大于0.5 × 0.5 × 1.0 mm 3的棱柱形单晶。
A platelet GaN single crystal having an area of 5 × 3 mm2 was obtained by heating a Na−Ga melt in a BN crucible at 750 °C under 5 MPa of N2 for 360 h. Prismatic single crystals with a size of more than 0.5 × 0.5 × 1.0 mm3 grew at a lower content of Na in the starting melt.