Gate-voltage tunable coupling capacitance of Si double-quantum-dots with multiple gates
Gate-voltage tunable coupling capacitance of Si double-quantum-dots with multiple gates
复制标题
多栅极硅双量子点栅压可调耦合电容
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Yasuo Takahashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takafumi Uchida;Masashi Arita;Akira Fujiwara;Seiji Samukawa;and Yasuo Takahashi
