Breakdown Characteristics of Lateral PIN Diodes Fully Fabricated by Ion Implantation into HTCVD-Grown High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate
Breakdown Characteristics of Lateral PIN Diodes Fully Fabricated by Ion Implantation into HTCVD-Grown High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate
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HTCVD 生长的高纯半绝缘 SiC 衬底完全离子注入横向 PIN 二极管的击穿特性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Ulrike Grossner
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mitsuaki Kaneko;Tsibizov Alexander;Tsunenobu Kimoto;Ulrike Grossner
