GaAs 基板上にモノリシック成長させたSbに基づく2μmの連続波,室温度動作,光学励起垂直‐外部空洞表面放射レーザ
GaAs 基板上にモノリシック成長させたSbに基づく2μmの連続波,室温度動作,光学励起垂直‐外部空洞表面放射レーザ
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2 μm 连续波、室温操作、光泵垂直外腔表面发射激光器,基于 GaAs 衬底上单片生长的 Sb
DOI:
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发表时间:
2009
影响因子:
2.3
通讯作者:
L. Diana
中科院分区:
文献类型:
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作者:
J. Thomas;Tatebayashi Jun;Senanayake Pradeep;B. Ganesh;R. Marcel;Wagner Joachim;Hader Joerg;V. Jerome;W. Stephan;Dawson L.Ralph;L. Diana