Improving the yield and reliability of the bulk-silicon HV-CMOS by adding a P-well
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DOI：
10.1016/j.microrel.2004.08.007
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Weifeng Sun;Longxing Shi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Weifeng Sun;Longxing Shi
