Lateral DMOS Power transistor design
Lateral DMOS Power transistor design
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DOI：
10.1109/edl.1980.25226
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发表时间：
1980-04
影响因子：
4.9
通讯作者：
S. Colak;B. Singer;E. Stupp
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Colak;B. Singer;E. Stupp
二维分析已应用于对关断状态下的横向 DMOST (LDMOST) 晶体管进行建模。这种方法预测击穿电压超出传统极限。使用该模型设计、制造并测试了 400 伏横向晶体管。给出了从数值建模获得的设计值以及 >425 伏 LDMOST 的实验结果。
Two dimensional analysis has been applied to model the lateral DMOST (LDMOST) transistor in the off condition. This approach predicts breakdown voltages beyond the conventional limit. Using this model, a 400 volt lateral transistor was designed, fabricated, and tested. The design values obtained from the numerical modeling, and the experimental results for a >425 volt LDMOST are presented.