有限障壁ポテンシャルを考慮した高指数(11n)A基板上のlnGaAs歪量子井戸の光学異方性評価
有限障壁ポテンシャルを考慮した高指数(11n)A基板上のlnGaAs歪量子井戸の光学異方性評価
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考虑有限势垒势的高折射率 (11n) A 衬底上 lnGaAs 应变量子阱的光学各向异性评估
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
森田健
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Matsumiya;T. Iwashige;T. Inoue;H. Watanabe;Yumi Matsumiya and Hiroshi Watanabe;Matsumiya Y;森田健;森田健;K. Morita;森田健
