Controllable growth of InAs quantum dots on patterned GaAs (001) substrate
Controllable growth of InAs quantum dots on patterned GaAs (001) substrate
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图案化 GaAs (001) 基板上 InAs 量子点的可控生长
DOI：
10.7498/aps.68.20190317
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发表时间：
2019
影响因子：
1
通讯作者：
Zhang Jian Jun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Hai Ling;Wang Ting;Zhang Jian Jun
InAs/GaAs量子点(QD)具有类似原子的光学和电学性质，是一种很有前途的量子信息处理材料体系。以前有许多研究报道了InAs量子点
InAs/GaAs quantum dot (QD) is one of the promising material systems for the quantum information processing due to their atomic-like optical and electrical properties. There are many previous researches reporting the InAs QDs whi
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Vilém Novák;S. Lehmke
通讯作者：
Vilém Novák;S. Lehmke