Volume dependence of the dielectric properties of amorphous SiO2.
Volume dependence of the dielectric properties of amorphous SiO2.
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非晶 SiO2 介电性能的体积依赖性。
DOI：
10.1039/c5cp06775h
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
C. Persson
中科院分区：
文献类型：
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作者：
O. Malyi;M. Boström;Vadym V Kulish;P. Thiyam;D. Parsons;C. Persson
采用第一性原理计算方法，对非晶SiO2（am-SiO2）的介电性质进行了分析。我们发现am-SiO2的性质是体积相关的，这种依赖性主要是由纳米孔隙率在原子尺度上的变化引起的。特别是，无论是离子和电子的贡献的静态介电常数的函数的体积具有明确的趋势。此外，使用在这项工作中提供的介电函数的独特的参数化，我们预测介电函数在虚频不同的二氧化硅多晶型具有相似的带隙能量。
Using first principles calculations, the analysis of the dielectric properties of amorphous SiO2 (am-SiO2) was performed. We found that the am-SiO2 properties are volume dependent, and the dependence is mainly induced by the variation of nanoporosity at the atomic scale. In particular, both ionic and electronic contributions to the static dielectric constants are functions of volume with clear trends. Moreover, using the unique parameterization of the dielectric function provided in this work, we predict dielectric functions at imaginary frequencies of different SiO2 polymorphs having similar band gap energies.