透過電子顕微鏡による半導体欠陥の電子的・動的特性のナノスケール直視評価
透過電子顕微鏡による半導体欠陥の電子的・動的特性のナノスケール直視評価
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使用透射电子显微镜直接纳米级评估半导体缺陷的电子和动态特性
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大野裕
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Ohno;K. Inoue;M. Deura;K. Kutsukake;I. Yonenaga;N. Ebisawa;Y. Shimizu;K. Inoue;Y. Nagai;H. Yoshida;S. Takeda;S. Tanaka;M. Kohyama;大野裕
