Low Temperature Photoluminescence in Highly Si-Doped AlxGa1-xN with x < 0.09
Low Temperature Photoluminescence in Highly Si-Doped AlxGa1-xN with x < 0.09
复制标题
x < 0.09 的高硅掺杂 AlxGa1-xN 中的低温光致发光
DOI：
--
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bo Monemar;Plamen P. Paskov;K. Takeda;Motoaki Iwaya;Tetsuya Takeuchi;Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
