Scanning-tunneling-microscopy study of InSb(110).
Scanning-tunneling-microscopy study of InSb(110).
复制标题
InSb(110) 的扫描隧道显微镜研究。
DOI：
10.1103/physrevb.42.7288
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发表时间：
1990
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Celotta
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Whitman;Stroscio;Dragoset;Celotta
在观察各种表面缺陷的基础上，包括简单的缺陷和肖特基缺陷。在获得的图像上，Sb和In阳离子上的电子密度和电子密度的分辨率分别集中
On observe une variete de defauts de surface, incluant ceux qui paraissent etre des lacunes simples et des defauts de Schottky. On obtient des images a resolution des densites d'etat occupes et inoccupes concentres respectivement sur les cations Sb et In