ニアスレッショルド電圧動作ULVR-SRAMセルの設計
ニアスレッショルド電圧動作ULVR-SRAMセルの設計
复制标题
近阈值电压操作 ULVR-SRAM 单元的设计
DOI：
--
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
原拓実，吉田隼，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Aya Kuchiba;Tomohiro Shinozaki;益居 秀，佐藤 美佳;原拓実，吉田隼，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡
