K.Takahashi et al.: "Si Epitaxial Growth on SiH_3CH_3 Reacted Ge(1 0 0) and Intermixing between Si and Ge during Heat Treatment"Appl.Surf.Sci.. Vol.212-213. 193-196 (2003)
K.Takahashi et al.: "Si Epitaxial Growth on SiH_3CH_3 Reacted Ge(1 0 0) and Intermixing between Si and Ge during Heat Treatment"Appl.Surf.Sci.. Vol.212-213. 193-196 (2003)
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K.Takahashi等人：“SiH_3CH_3反应的Ge(1 0 0)上的Si外延生长以及热处理期间Si和Ge之间的混合”Appl.Surf.Sci..Vol.212-213。
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