Structural enhancement of ZnO on SiO2 for photonic applications
Structural enhancement of ZnO on SiO2 for photonic applications
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用于光子应用的 SiO2 上 ZnO 的结构增强
DOI：
10.1063/1.4815974
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
C. Meier
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Ruth;C. Meier
多层薄膜通常是光子器件的基础。氧化锌 (ZnO) 具有优异的光电特性，可以作为微盘或光子晶体等结构中的高质量发射器。在这里，我们对二氧化硅（SiO2）上低温 MBE 生长的 ZnO 结构性能的增强进行了详细研究。通过热退火，初始多晶层的晶粒聚结导致电子结构的增强，这由光致发光（PL）信号最大值的蓝移表明。退火过程中的氧气气氛可防止因向外扩散而产生固有缺陷。相反，预退火沉积的 SiO2 覆盖层会阻碍再结晶并导致发射强度减弱。虽然薄的覆盖层在高温下部分地从 ZnO 薄膜上脱离，导致更高的表面粗糙度和最弱的发射，但较厚的层保持更光滑，并表现出明显更强的光致发光。
Multi-layer thin films are often the basis of photonic devices. Zinc oxide (ZnO) with its excellent optoelectronic properties can serve as a high quality emitter in structures like microdisks or photonic crystals. Here, we present a detailed study on the enhancement of the structural properties of low-temperature MBE grown ZnO on silica (SiO2). By thermal annealing a grain coalescence of the initially polycrystalline layer leads to an enhancement of the electronic structure, indicated by a blue shift of the photoluminescence (PL) signal maximum. Oxygen atmosphere during the annealing process prevents the creation of intrinsic defects by out-diffusion. Pre-annealing deposited SiO2 capping layers instead obstruct the recrystallization and lead to less intense emission. While thin capping layers partially detach from the ZnO film at high temperatures and cause higher surface roughness and the weakest emission, thicker layers remain smoother and exhibit a significantly stronger photoluminescence.
ZnO 量子线中的载流子局域化
影响因子：
4
作者：
P. Kröger;M. Ruth;N. Weber;C. Meier
通讯作者：
C. Meier
Si(111)上ZnO三维晶粒聚结的尺度系数
影响因子：
3.7
作者：
M. Ruth;C. Meier
通讯作者：
C. Meier