TIPS-Pentacene Thin Films Deposition Using Solution-Shearing (SS) Method: Effects of Surface Treatments of SiO2 Gate Insulators

TIPS-Pentacene Thin Films Deposition Using Solution-Shearing (SS) Method: Effects of Surface Treatments of SiO2 Gate Insulators
复制标题

使用溶液剪切 (SS) 方法沉积并五苯薄膜:SiO2 栅极绝缘体表面处理的影响

DOI:
--
复制
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
H. Uchida
H. Uchida
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
T. Fujita;T. Kobayashi;Y. Ikeda;Y. Shiba;H. Uchida

文献摘要

相似文献