Ga(Gd)NIAlGaN三重障壁共鳴トンネルダイオードの作製
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Ga(Gd)NIAlGaN三重势垒谐振隧道二极管的制作
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
東晃太朗
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Fujiki;T.Uemura;N.Zettsu;M.Akai-Kasaya;A.Saito;Y.Kuwahara;東晃太朗
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