高k栅介质InGaAs MOSFET结构的设计与仿真

高k栅介质InGaAs MOSFET结构的设计与仿真
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DOI:
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发表时间:
2014
期刊:
微电子学
影响因子:
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通讯作者:
徐静平
徐静平
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
朱述炎;叶青;汪礼胜;徐静平

文献摘要

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