Fabrication of III-V MOS structureby using selective oxidation of InAlAs
Fabrication of III-V MOS structureby using selective oxidation of InAlAs
复制标题
InAlAs选择性氧化制备III-V族MOS结构
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Nakagawa;M. Yokoyama;O. Ichikawa,M. Hata;M. Tanaka;M. Takenaka;S.Takagi
