再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET
再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET
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具有再生源极/漏极的 InGaAs 三栅极 MOSFET
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
三嶋裕一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
岩井郁也;吉富邦明;金谷晴一;Yuichi Mishima;辻大輝，板野由佳，小椋清孝，森下賢幸，吉富貞幸，伊藤信之;三嶋裕一
