Characterization of MOCVD-grown AlSiO gate dielectric on β-Ga 2 O 3 (001)
Characterization of MOCVD-grown AlSiO gate dielectric on β-Ga 2 O 3 (001)
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β-Ga 2 O 3 (001) 上 MOCVD 生长的 AlSiO 栅极电介质的表征
DOI：
10.1063/5.0048990
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发表时间：
2021
影响因子：
4
通讯作者：
Ahmadi, Elaheh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jian, Zhe;Sayed, Islam;Liu, Wenjian;Mohanty, Subhajit;Ahmadi, Elaheh
