超薄顶硅层SOI基新颖阳极快速LIGBT

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DOI:
10.13290/j.cnki.bdtjs.2016.07.006
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发表时间:
2016
期刊:
半导体技术
影响因子:
--
通讯作者:
钟怡
钟怡
中科院分区:
其他
文献类型:
--
作者:
陈文锁;张培建;钟怡

文献摘要

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