超短脉冲门控高速InGaAs/InP APD单光子探测
超短脉冲门控高速InGaAs/InP APD单光子探测
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DOI：
10.3969/j.issn.1005-5630.2018.04.003
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发表时间：
2018-08
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
梁焰
中科院分区：
文献类型：
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作者：
黄梓楠;梁焰
提出一种超短脉冲门控盖革模式的InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）单光子探测方案，采用电容平衡与低通滤波相结合的方式来实现光生雪崩信号的有效提取。该方案所用的单光子探测器在700 MHz时具有良好的探测性能，当工作温度设置为-30 ℃、探测效率为10%时，暗计数率仅为7.1×10-7门-1，后脉冲概率为3.7%。该方案弥补了其他方案在这一频段工作时的性能劣势，实现了商用单光子探测器工作重复频率在更大的范围内连续可调并保持很好的探测性能。