Threshold voltage analytical model of fully depleted strained Si single Halo silicon-on-insulator metal-oxide semiconductor field effect transistor
Threshold voltage analytical model of fully depleted strained Si single Halo silicon-on-insulator metal-oxide semiconductor field effect transistor
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全耗尽应变Si单Halo绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压分析模型
DOI：
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发表时间：
2013
影响因子：
1
通讯作者：
Zhuo Qing-Qing
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xin Yan-Hui;Liu Hong-Xia;Fan Xiao-Jiao;Zhuo Qing-Qing
