XPS Study of Nitridation Mechanism of GaAs(001)Surface using RF-radical Source
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射频自由基源XPS研究GaAs(001)表面氮化机理
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
丸山隆浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
成塚重弥;門野洋平;森みどり;竹内義孝;丸山隆浩
