A.Hashimoto, H.Wada, T.Ueda, Y.Nishio, A.Masuda and A.Yamamoto: "Mixing mechanism of h-GaN in c-GaN growth on GaAs (001) substrates"Physica Status Solidi (a). Vol.176. 519-524 (1999)
A.Hashimoto, H.Wada, T.Ueda, Y.Nishio, A.Masuda and A.Yamamoto: "Mixing mechanism of h-GaN in c-GaN growth on GaAs (001) substrates"Physica Status Solidi (a). Vol.176. 519-524 (1999)
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A.Hashimoto、H.Wada、T.Ueda、Y.Nishio、A.Masuda 和 A.Yamamoto：“GaAs (001) 衬底上 c-GaN 生长中 h-GaN 的混合机制”Physica Status Solidi (a)。
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