Complementary study of vacancy defects in Si substrates by using SPM and EBIC method
Complementary study of vacancy defects in Si substrates by using SPM and EBIC method
复制标题
SPM与EBIC方法互补研究Si衬底空位缺陷
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Maekawa and A. Kawasuso
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. K. Shimizu;J. Jung;H. Imada and Y. Kim;M. Maekawa and A. Kawasuso
