Growth Of Epitaxial Site-Engineered Bi_4Ti_3O_<12>-Based Thin Films by MOCVD and Their Characterization
Growth Of Epitaxial Site-Engineered Bi_4Ti_3O_<12>-Based Thin Films by MOCVD and Their Characterization
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MOCVD外延位点工程Bi_4Ti_3O_<12>基薄膜的生长及其表征
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Miyayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Funakubo;T.Sakai;T.Watanabe;M.Osada;M.Kakihana;K.Saito;Y.Noguchi;M.Miyayama
导电SrRuO3和CaRuO3薄膜晶体结构比较
影响因子：
1.8
作者：
Noriyuki Higashi;Takayuki Watanabe;K. Saito;I. Yamaji;T. Akai;H. Funakubo
通讯作者：
H. Funakubo
影响因子：
2.7
作者：
Watanabe, T;Funakubo, H;Saito, K
通讯作者：
Saito, K