SiC極限環境エレクトロニクスと放射光による薄膜・界面状態分析
SiC極限環境エレクトロニクスと放射光による薄膜・界面状態分析
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使用同步加速器辐射进行 SiC 极端环境电子学和薄膜/界面状态分析
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
黒木伸一郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
岡田 智徳;井上 純;西山 文隆;瀬崎 洋;黒木 伸一郎;Shin-Ichiro Kuroki;黒木伸一郎
