Investigations of well defined dislocations in silicon

Investigations of well defined dislocations in silicon
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硅中明确的位错的研究

DOI:
10.1016/0378-4363(83)90311-x
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发表时间:
1983
影响因子:
2.8
通讯作者:
E. Weber
E. Weber
中科院分区:
物理与天体物理3区
文献类型:
--
作者:
H. Alexander;C. Kisielowski;E. Weber

文献摘要

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