H.Harima et al.: "“Electronic Properties in Doped GaN Studied by Raman Scattering"" J.Cryst.Growth. 189/190. 672-674. (1998)
H.Harima et al.: "“Electronic Properties in Doped GaN Studied by Raman Scattering"" J.Cryst.Growth. 189/190. 672-674. (1998)
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H.Harima 等人：“通过拉曼散射研究掺杂 GaN 的电子特性”，J.Cryst.Growth 189/190 (1998)。
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