Size and density control or InAs quantum dots by selective MOVPE growth employing stripe mask array and composition-varied GaInAs layer
Size and density control or InAs quantum dots by selective MOVPE growth employing stripe mask array and composition-varied GaInAs layer
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通过采用条带掩模阵列和成分变化的 GaInAs 层进行选择性 MOVPE 生长来控制 InAs 量子点的尺寸和密度
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kazuhiko Shimomura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yusuke Yamauchi;Yasumasa Kawakita;Satoshi Okamoto;Junji Yoshida;Kazuhiko Shimomura
