Structural and binding properties of vacancy clusters in silicon
Structural and binding properties of vacancy clusters in silicon
复制标题
硅中空位簇的结构和结合特性
DOI：
10.1209/epl/i1998-00419-1
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发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
1.8
通讯作者：
T. D. Rubia
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Bongiorno;L. Colombo;T. D. Rubia
通过大规模量子模拟，我们研究了 n ≤ 35 时硅中空位簇 Vn 的形成和结合。我们表明存在不同的生长模式，并且能量和拓扑参数之间的相互作用决定了最稳定的聚集体。
By means of large-scale quantum simulations we investigate the formation and binding of vacancy clusters Vn in silicon for n ≤ 35. We show that different growth patterns exist and that an interplay between energy and topology arguments determines the most stable aggregates.