Floating Gate Memory Based on Ferritin Nanodots with High-k Gate Dielectrics
Floating Gate Memory Based on Ferritin Nanodots with High-k Gate Dielectrics
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基于具有高 k 栅极电介质的铁蛋白纳米点的浮栅存储器
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Yoshimaru
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Ohara;Y.Uraoka;T.Fuyuki;I.Yamashita;T.Yaegashi;M.Moniwa;M.Yoshimaru
