S.Motoyama and S.Kaneda: "Low temperature growth of single crystalline 3C-SiC by the gas source molecular beam epitaxial method." Applied Physics Letters. 54. 242-243 (1989)
S.Motoyama and S.Kaneda: "Low temperature growth of single crystalline 3C-SiC by the gas source molecular beam epitaxial method." Applied Physics Letters. 54. 242-243 (1989)
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S.Motoyama 和 S.Kaneda：“气源分子束外延法单晶 3C-SiC 的低温生长”。
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