In-plane anisotoropy in uniaxially-strained GaN films detected by optical diffraction technique
In-plane anisotoropy in uniaxially-strained GaN films detected by optical diffraction technique
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通过光学衍射技术检测单轴应变 GaN 薄膜的面内各向异性
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Adachi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Gu;et. al.;S.Adachi
