A 210nW BJT-based Temperature Sensor with an Inaccuracy of ±0.15°C (3σ) from −15°C to 85°C
A 210nW BJT-based Temperature Sensor with an Inaccuracy of ±0.15°C (3σ) from −15°C to 85°C
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基于 210nW BJT 的温度传感器，在 −15°C 至 85°C 范围内精度为 ±0.15°C (3σ)
DOI：
10.1109/vlsitechnologyandcir46769.2022.9830266
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Makinwa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Someya;Vincent Van Hoek;J. Angevare;S. Pan;K. Makinwa
本文介绍了一种基于210nW BJT的温度传感器，在−15°C至85°C范围内实现了±0.15°C（3σ）的不准确度。双模前端（FE）结合了偏置电路和BJT内核，可将生成明确定义的CTAT（VBE）和PTAT（ΔVBE）电压所需的功耗减半。跟踪Δ ADC的使用降低了FE信号摆幅，并进一步降低了系统功耗。在180 nm BCD工艺中，原型在50 ms转换时间内实现了15 mK分辨率，转化为最先进的2.3pJK 2 FoM。
This paper presents a 210nW BJT-based temperature sensor that achieves an inaccuracy of ±0.15°C (3σ) from −15°C to 85°C. A dual-mode front-end (FE), which combines a bias circuit and a BJT core, halves the power needed to generate well-defined CTAT (VBE) and PTAT (ΔVBE) voltages. The use of a tracking ΔΣ ADC reduces FE signal swing and further reduces system power consumption. In a 180-nm BCD process, the prototype achieves a 15mK resolution in 50ms conversion time, translating into a state-of-the-art FoM of 2.3pJK2.