窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線のキャップ層成長条件依存性
窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線のキャップ層成長条件依存性
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氮δ掺杂 GaAs 中的束缚激子发射线对盖层生长条件的依赖性
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
原田幸弘
中科院分区：
文献类型：
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作者：
石田稔博;榊洋介;小谷哲浩;高明天;金村崇;小柴康子;三崎雅裕;堀江聡;石田謙司;上田裕清;小島磨;日本学術振興会情報科学用有機材料第142委員会C部会;山下太香恵;五井恵太;藤井良治;原田幸弘;大田翔平;原田幸弘
